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我司生產(chǎn)的氮化硅高純粉是高頻封裝&光伏脫模劑專(zhuān)用氮化硅粉體，采用全球獨(dú)家工藝制備，β相含量可達(dá)99%以上，純度高，形貌優(yōu)，粉體流動(dòng)性好，填充比例高，導(dǎo)熱性能好，介電性能優(yōu)異，可作為高導(dǎo)熱填料廣泛應(yīng)用于高頻封裝等產(chǎn)品。
我司生產(chǎn)的氮化硅高純粉具有純度高，分散性好的特點(diǎn)，可有效提高脫模效果，減少硅錠的紅區(qū)，得到了國(guó)內(nèi)光伏企業(yè)的廣泛認(rèn)可。
氮化硅高純粉產(chǎn)品之優(yōu)勢(shì)：純度高、粒徑小、分布均勻、比表面積大、表面活性高、松裝密度低等優(yōu)異性能。
氮化硅高純粉性能指標(biāo)：
產(chǎn)品名稱(chēng) | 氮化硅高純粉 | 規(guī)格型號(hào) | DHG-GCXF-01 | ||
檢驗(yàn)項(xiàng)目 | 判定標(biāo)準(zhǔn) | 檢測(cè)方法 | 實(shí)測(cè) | 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | |
α相含量（%） | ≥92 | X射線(xiàn)衍射法 | 94.3 | JIS R1640 | |
o（%） | ≤1.5 | 紅外吸收法 | 1.32 | ASTM C1494 | |
N（%） | ≥38.5 | 紅外吸收法 | 38.9 | ASTM C1494 | |
粒度D50(um) | ≤10 | 激光衍射法 | 9.7 | GB/T 19077.1 | |
雜質(zhì) 成份(ppm) | Fe/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 374 | SG-GC-07.1-2009 |
A1/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 231 | SG-GC-07.1-2009 | |
Ca/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 306 | SG-GC-07.1-2009 | |
氮化硅高純粉應(yīng)用領(lǐng)域：高頻封裝及脫膜劑行業(yè)。
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